新型三維霍爾傳感器及其在巡檢機(jī)器人中的應(yīng)用

磁場傳感器在機(jī)器人、汽車、醫(yī)療等行業(yè)具有廣泛的重要用途，尤其在磁場精確測量方面至關(guān)重要。雖然霍爾效應(yīng)傳感器因其磁場測量能力而廣受歡迎，但傳統(tǒng)傳感器在同一位置同時測量三維磁場方面存在限制。而這種能力對于精確測量永磁體、電磁體及磁性組件的高梯度磁場至關(guān)重要。為克服這一局限，研究人員開發(fā)出一種新型cmos磁場傳感器，能在同一點(diǎn)同時測量Bx、By和Bz三個磁場分量。集成的垂直與水平霍爾元件確保了高角度精度及三個測量軸的正交性。偏置采用旋轉(zhuǎn)電流技術(shù)，有效降低了偏移、低頻噪聲和平面霍爾效應(yīng)。本文所展示的緊湊型3D霍爾傳感器擁有寬廣模擬帶寬、高磁場分辨率以及內(nèi)置溫度傳感器，適用于3D定位、角度測量、電流檢測以及磁場測量等多個場景。同時，也展示了該傳感器在巡檢機(jī)器人附著力控制中的一項具體應(yīng)用。

水平與垂直霍爾傳感器

霍爾傳感器通常用于磁場測量，但傳統(tǒng)霍爾傳感器只能檢測垂直于傳感器的磁場分量。為實現(xiàn)面內(nèi)磁場測量，必須集成垂直霍爾板器件。這一思路zui早由Popovic在20多年前提出，并通過CMOS硅技術(shù)不斷改進(jìn)水平與垂直霍爾傳感器的性能。

新版本的垂直霍爾器件相比市場上其他產(chǎn)品具備更優(yōu)異的信噪比，信號處理后在1kHz頻率下的噪聲電壓譜密度僅為0.8μV/Hz。垂直與水平霍爾元件可通過CMOS技術(shù)集成，用于構(gòu)建多種磁場傳感器，如緊湊的3D霍爾傳感器（提供完整磁場信息）、二維角度傳感器以及用于電流測量的霍爾傳感器。

3D 霍爾傳感器——SENM3Dx

新型的3D霍爾傳感器SENM3Dx可在同一位置同時測量Bx、By和Bz三軸磁場分量。傳感器設(shè)計包括三組互為正交的霍爾元件，每組配有專屬的偏置電路和放大器，從而實現(xiàn)僅100 x 100微米的高空間分辨率。

圖1 集成在硅片上的水平霍爾元件(HHE)和垂直霍爾元件(VHE):靈敏體積小。高度相互正交。HHE和VHE的表現(xiàn)相當(dāng)。

CMOS技術(shù)制造的垂直與水平霍爾元件確保了高角度精度和良好的正交性。旋轉(zhuǎn)電流技術(shù)進(jìn)一步減輕了偏移、低頻噪聲與平面霍爾效應(yīng)的影響。

該傳感器具有寬帶寬特性（DC至300 kHz）并集成溫度傳感器，封裝于非磁性QFN28封裝中，適用于多種應(yīng)用場景。

圖2 SENM3Dx傳感器采用非磁性QFN28封裝

瑞士蘇黎世聯(lián)邦理工學(xué)院（ETH Zürich）的機(jī)器人系統(tǒng)實驗室（RSL）已將該3D霍爾傳感器集成到巡檢機(jī)器人中，顯著提升了機(jī)器人在爬墻時的附著力控制能力。

3D傳感器在巡檢機(jī)器人中的應(yīng)用

巡檢機(jī)器人廣泛應(yīng)用于基礎(chǔ)設(shè)施的維護(hù)、監(jiān)控與檢測，其中可靠的附著力控制是設(shè)計與運(yùn)行的關(guān)鍵，特別是在惡劣、不可預(yù)測的環(huán)境中。

為提高安全性、準(zhǔn)確性、效率與成本效益，廣泛采用配有電控永磁體（EPM）抓手的爬墻機(jī)器人。然而，這些機(jī)器人通常較重且成本高，因此必須確保其運(yùn)行時不會跌落。為解決此問題，需要對EPM與支撐表面之間的實際附著力進(jìn)行反饋測量，這不僅能節(jié)能，還能避免在附著不足的區(qū)域移動。在這種情況下，提出的估算磁性附著力的方法使用SENIS三維磁場傳感器SENM3Dx。

3D傳感器戰(zhàn)略性地放置在爪腳的邊緣，以探測EPM的邊緣場。利用NAFSA制造的EPM VM65/ND和四個SENM3Dx傳感器建立了粘附力模型并構(gòu)建了原型，如圖3(a)和(b)所示。通過電磁（EM）模擬確定了z佳傳感器位置，該位置確定了靠近抓爪足座的Max磁場變化位置。

圖3 底視圖中顯示了夾爪腳原型，在PCB和電永磁體(EPM)上有四個等距的SENM3Dx傳感器。這(a)中顯示了一個傳感器的磁軸定義，而(b)顯示了SENIS SENM3Dx傳感器PCB的仰視圖。

考慮到現(xiàn)實shi界的復(fù)雜性，粘接力受到各種參數(shù)的影響。在這個模型中，重點(diǎn)關(guān)注四個顯著影響附著力的關(guān)鍵因素：永磁體的強(qiáng)度、EPM和支架之間的氣隙、支架（金屬）的厚度和支撐表面的紋理。

一種新穎的解決方案涉及定義X和Y組件之間的角度，這可以在一定范圍內(nèi)提供有價值的氣隙距離。具體而言，如圖4a所示，較大的氣隙會導(dǎo)致90°的夾角，而對于較厚的支撐結(jié)構(gòu)，夾角與厚度無關(guān)。然而，為了減小氣隙，磁場分量測量中的相對誤差會導(dǎo)致異常值，如圖4a所示。因此，了解這種關(guān)系是準(zhǔn)確估計攀爬機(jī)器人粘附力并確保其安全高效運(yùn)行的關(guān)鍵。

圖4 (a)中示出了各種氣隙的磁角，而(b)顯示了磁場不同氣隙的M值。使用16毫米厚的鋼板作為支撐。

磁場振幅或幅度M的X和Y分量可用于確定粘附力，因為它對于小的氣隙表現(xiàn)出近乎線性的關(guān)系(見圖4b)。相比之下，與磁場大小相比，磁場角度為估計粘附力提供了不可靠的數(shù)據(jù)，因此不用于建立簡單的線性預(yù)測模型。因此，磁角可用于估計氣隙距離，而磁場大小可用于確定粘附力。以下事實支持了這一點(diǎn)，即粘附力大致與給定氣隙的磁場大小成比例。

公式給出了附著力預(yù)測模型，該模型利用5毫米厚鋼板的數(shù)據(jù)，基于從2毫米和16毫米金屬板上獲得的磁量級和獨(dú)立力測量。該模型表示為氣隙寬度(d)的函數(shù)，其中下標(biāo)表示金屬支撐的厚度。因此，模型F5，pred(d)使用磁性大小(M)和2、5和16毫米厚金屬支架的力測量值(F)來預(yù)測5毫米厚金屬板的附著力。

在圖5中，將預(yù)測和測量的附著力值作為氣隙距離d的函數(shù)進(jìn)行比較，Max相對誤差為23%。這種精度水平被認(rèn)為是可以接受的，因為磁鐵的強(qiáng)附著力是出于安全原因而選擇的。這個安全范圍允許在實際應(yīng)用程序中使用該模型，而無需進(jìn)一步優(yōu)化。此外，SENM3Dx傳感器的快速和動態(tài)響應(yīng)使使用自適應(yīng)模型能夠?qū)崟r訓(xùn)練和反應(yīng)。此外，從一個小而輕的三維磁場傳感器獲得附著力信息是非常方便的。

圖5所示。演示了線性預(yù)測模型F5，pred的性能，并將模型（prediction）與各種氣隙d的實測附著力（Measurement）進(jìn)行了比較

結(jié)論與展望

本文展示了一款新型的CMOS三維霍爾磁場傳感器，能夠在單點(diǎn)同時精確測量三個方向的磁場分量。通過三組正交的水平與垂直霍爾元件及獨(dú)立電路設(shè)計，實現(xiàn)了高空間與角度精度。旋轉(zhuǎn)電流技術(shù)有效抑制了偏移、低頻噪聲及平面霍爾效應(yīng)。

該傳感器具備寬模擬帶寬和內(nèi)置溫度傳感器，適用于3D位置檢測、磁測量、角度測量和電流檢測等場合。本文還通過一個實例展示了傳感器在巡檢機(jī)器人附著力控制中的強(qiáng)大應(yīng)用潛力。

SENIS的3D霍爾傳感器憑借性能和高精度，將在下一代磁場測量解決方案中發(fā)揮關(guān)鍵作用，推動磁測量與傳感技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。

昊量光電與SENIS共同推出的3MH6高精度，低噪聲特斯拉計，就集成了上文提到的霍爾傳感器，還集成了高精度磁場模擬電壓傳感器，具有高水平的溫度補(bǔ)償輸出信號，用于測量磁通密度Bx，By和Bz的三個組成部分。另外在模擬換能器上加一個數(shù)字模塊，形成數(shù)字特斯拉計，其提供了由主機(jī)通過USB串行接口自動采集數(shù)據(jù)的可能性。通過這種方式，客戶可以使用Basic， C, c++, Delphi， LabVIEW等編程工具輕松地將測量例程集成到測量系統(tǒng)中。溫度測量功能允許用戶在監(jiān)測磁場的同時獲得當(dāng)前溫度值。換能器由兩個模塊組成：可互換霍爾探頭和電纜（模塊H）；電子（模塊E）：低噪聲數(shù)字特斯拉儀是一種高精度溫度穩(wěn)定儀器，用于精確測量磁場。每個傳感器都使用連接探頭的單獨(dú)校正數(shù)據(jù)進(jìn)行校準(zhǔn)，因此探頭是可更換的。其非常高的磁直流分辨率：優(yōu)于1ppm (@2T范圍：平面1µT和垂直分量2µT)（注：更高的分辨率優(yōu)于0.5uT可用于特殊設(shè)備版本3MH6-S，單個測量范圍為100mT）

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