| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
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| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
磁疇觀測克爾顯微鏡
Neoark磁疇觀測顯微鏡是通過磁光克爾效應(yīng)來測量磁疇結(jié)構(gòu)。Neoark磁疇觀測顯微鏡對(duì)極向/縱向磁光克爾效應(yīng)都十分靈敏，因此成為磁性微結(jié)構(gòu)觀測的理想工具。該系統(tǒng)光源為100W的汞燈通過偏振片產(chǎn)生線偏振光，結(jié)合偏光顯微鏡使磁疇觀測，使其空間分辨率可以達(dá)到1mm，在實(shí)際測量時(shí)可達(dá)到1mm以下，非常有利于磁性微結(jié)構(gòu)。采用雙極電磁鐵產(chǎn)生外磁場，zui大可提供10KOe的外加磁場。
磁疇觀測系統(tǒng)、磁疇觀測顯微鏡、克爾顯微鏡、Magnetic Domain Observation Microscope、磁疇觀察顯微鏡、磁疇觀測克爾顯微鏡
當(dāng)一束線偏振光照被磁性介質(zhì)反射后，反射光的偏振面相對(duì)于入射光的偏振面有一個(gè)小的角度偏轉(zhuǎn)（克爾旋轉(zhuǎn)角），這一現(xiàn)象被稱為磁光克爾效應(yīng)。是通過縱向/極向磁光克爾效應(yīng)來測量磁疇結(jié)構(gòu)。磁疇的存在導(dǎo)致了內(nèi)部磁化強(qiáng)度的區(qū)域分布不同，由于磁光克爾效應(yīng)的影響，導(dǎo)致了反射光光斑內(nèi)與材料內(nèi)部磁化區(qū)域相對(duì)應(yīng)的反射區(qū)域偏振態(tài)不同，偏振光經(jīng)過檢偏器后光斑的強(qiáng)度分布不同，從而得到磁疇結(jié)構(gòu)。
磁疇觀測顯微鏡采用100W的汞燈做為光源，經(jīng)過起偏器產(chǎn)生線偏振光作用于磁性材料，結(jié)合偏振顯微鏡觀測，觀測空間分辨率可達(dá)到1mm。在實(shí)際的測量中分辨率甚至可達(dá)到1mm以下，這非常有利于對(duì)微小區(qū)域磁性的觀察。因此該磁疇觀測系統(tǒng)成為磁性微結(jié)構(gòu)的理想觀測系統(tǒng)。
還可以觀測動(dòng)態(tài)磁疇的變化。MOKE磁疇觀測顯微鏡裝配基礎(chǔ)觀測軟件和Flame movie 軟件可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)的可選擇的磁場變化下磁疇圖像的連續(xù)觀測。采用雙極電磁鐵，可以提供的外加磁場強(qiáng)度高達(dá)10KOe。此外可以選配多種電磁體：四極磁體、偶極磁體以及螺線管磁體。外加磁場可以實(shí)現(xiàn)任意的磁場波形控制，能夠輕松地在樣品表面產(chǎn)生各種復(fù)雜的磁場。
上海昊量光電設(shè)備有限公司的磁疇觀測顯微鏡可分為兩類：
①常規(guī)條件的磁疇觀測系統(tǒng)
該類型的主要包含BH-786系列和BH-785iPWF6。該系列使用的光源為汞燈，可以從極向和縱向?qū)Υ女犨M(jìn)行觀測，并可以隨意切換觀測方向。采用白光觀測，使得標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的空間分辨率可到達(dá)1mm（′50倍物鏡）.
②條件的磁疇觀測設(shè)備（低溫高溫下）
該設(shè)備是用于變溫條件下磁疇的觀察。主要包含BH-7850系列。該克爾顯微鏡可以從極向/縱向兩個(gè)方向進(jìn)行觀測。可以實(shí)現(xiàn)在極低溫度條件下的磁疇觀測，測試溫度范圍可達(dá)到2.2-500K。
u 主要特點(diǎn)
高分辨率（1mm）
高外加磁場
高靈敏度
高穩(wěn)定性
可選配電磁體
u 主要應(yīng)用
磁性材料、磁性薄膜磁疇的動(dòng)態(tài)靜態(tài)觀測等。
u 產(chǎn)品主要參數(shù)
產(chǎn)品型號(hào) 主要參數(shù) | BH-786IP | BH-786IWF8 | BH-786iP-12 | BH-785iPWF6 | BH-7850 series（條件） |
光源 | 汞燈 | ||||
空間分辨率 | ′20倍物鏡 2.5mm | 面內(nèi) 1mm | 面內(nèi) 1.5mm | 面內(nèi) 1.5mm | ′20倍物鏡 2.5mm |
′50倍物鏡 1.0mm | 極向 0.9mm | ||||
觀測面積 | ′20倍物鏡 250′175mm | ′20倍物鏡 250′200mm | ′20倍物鏡 250′200mm | ′20倍物鏡 250′200mm | |
′50倍物鏡 100′70mm | ′50倍物鏡 100′75mm | ||||
可產(chǎn)生磁場 | >±10kOe=1T | >±0.2T | >±0.2T | >±0.2T | |
可測樣品大小 | 5′5′1tmm ~10′10′1tmm | 8英寸wafer | 5′5~20′20mm 1mmt | 6英寸wafer | |
工作溫度 | 20℃~25℃ | 2.2~500K | |||
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